閃存業面臨重大技術轉折
發布時間：2017-09-07來源：深圳特區報編輯：方之穎
中國閃存市場峰會在深舉行。
Flash（閃存）正面臨變革的重要時期。隨著技術的快速發展，2017下半年Flash原廠三星、東芝、西部數據等3D NAND（一種非易失性存儲技術）紛紛進入量產，英特爾、美光新技術也開始投入商用。原廠之間的技術競爭急劇升溫，各大數據中心、企業等領域的數據存儲也將迎來新的挑戰。
在昨天于深圳舉行的中國閃存市場峰會（CFMS2017）上，來自三星、英特爾、美光、江波龍、Marvell等國內外存儲重量級企業的大咖嘉賓，聚首探討在新挑戰、新機遇面前，深圳企業及整個業界如何滿足中國市場需求及市場創新應用，把脈行業戰略布局的重點及未來發展趨勢。
●閃存正面臨技術轉折期
存儲芯片市場今年以來的關鍵詞是：缺貨漲價。
“從2016年二季度開始，閃存市場經歷了有史以來持續時間最長、幅度最高的漲價缺貨潮。”深圳市閃存市場資訊有限公司總經理邰煒表示，其中消費類閃存產品每GB銷售單價從2016年0.12美元上漲到現在0.3美元以上，主流的eMMC產品上漲幅度超過60%，SSD產品漲價超過80%。
2017年，全球NAND FLASH的總產量達到1620億GB當量，較2016年提升了40%。目前，市場價格依然較高，部分市場的供應依然不足。
邰煒認為，2016年因2D NAND向3D NAND切換，NAND Flash供不應求，產業鏈陷入瘋狂的搶貨潮。3D因為是新技術，工藝復雜，且工期更長，加上芯片的生產設備供應緊張，這些都是影響目前3D進度的重要原因，預計部分市場供應緊張的狀況還會持續到年底。此外，除了消費類市場外，在企業級層面，數據中心的市場需求也快速增加，數據存儲的需求越來越大。
